本研究室の学部生2名ならびに修士学生6名が卒業・修了いたしました。
学部生2名は修士課程に進学、修士学生5名は就職、1名は博士後期課程に進学いたします。
学部生2名・修士学生6名が卒業・修了しました
IEICE 環境電磁工学研究会(2023年10月開催)に参加しました
10月19,20日に山形にて開催された電子情報通信学会 環境電磁工学研究会にて，M2江原，M2早瀬が発表いたしました．
発表タイトルは以下の通りです．
- 題目: 遅延電磁結合を含む畳み込み積分で表現された回路方程式の中立型遅延微分方程式への変形
著者: 江原柊也・久門尚史・イスラム マーフズル - 題目: 抵抗と1/4波長線路を用いた単導体線路の終端整合
著者: 早瀬健浩・久門尚史・イスラム マーフズル
IPSJの論文誌に論文が採択されました
IPSJ Transactions on System LSI Design Methodologyに次の論文が採択されました．2月に発行される予定です．この論文は卒業生の北村君の研究成果をまとめたものです．
論文題目: Design of Reference-free Flash ADC With On-chip Rank-based Comparator Selection Using Multiple Comparator Groups
著者: Takehiro Kitamura, Takashi Hisakado, Osami Wada, and Mahfuzul Islam
IEEE ASICON学会に招待講演をしました
10月の24日から27日までに開催されたIEEE 15th International Conference on ASICにマーフズ講師が参加し，「Utilizing Order Statistics for Low-power Analog Circuit Design in Scaled CMOS Technologies」という題目で招待講演をしました．
黎明電子機器学シンポジウム2023に参加しました
9月20日に九州工業大学にて開催された黎明電子機器学シンポジウム(九州工業大学・岡山大学共催)にて，弊研究室の学生が発表いたしました．
発表題目
オーラル発表
- 鈴木 歩夢(M1)：回路のポートの自由度を用いたグラフフーリエ変換の拡張
- 江原 柊也(M2)：遅延電磁結合を含む畳み込み積分で表現された回路方程式の中立型遅延微分方程式への変形
- 早瀬 健浩(M2)：抵抗と1/4波長線路を用いた単導体線路の終端整合
ポスター発表
- 岩田 祐磨(M2)：再構成可能なコンパレータを用いた自己キャリブレーション機能を有するフラッシュ型ADC
- 太田 慎一(M2)：微細トランジスタの統計的性質を利用する－40～140 ℃で動作可能なCMOS温度センサ
- 山本 謙太(M2)：双方向DC/DCコンバータを用いたP2Pエネルギー伝送システムの大域的安定化
- Rodriguez Raul(M2)：Real-time Temperature Estimation of SiC MOSFETs Using Gate Voltage at Zero-current Switching for Inverter Applications
交流した九州工業大学・岡山大学の研究室
和田 修己先生退職記念パーティー
2023年6月24日にリーガロイヤルホテル京都にて，昨年度ご退官された和田 修己先生の退職記念パーティーを行いました．
ご来場されたOB・OG・関係者の方々に感謝申し上げます．
和田 修己先生は名古屋工業大学にて，今後も研究を続ける予定ですので，関係者の方々はよろしくお願いいたします．
Webサイトをリニューアルしました
電磁工学講座 電磁回路工学分野のホームページをリニューアルしました。
和田教授のご退職に伴い、4月より本研究室は久門 尚史准教授、Mahfuzul Islam講師の2名体制となります。
昨今の社会情勢もあり、Web経由での情報発信の需要が高まっていることから、今後はより積極的にWebサイトを更新していきたいと考えておりますので、引き続き本研究室をよろしくお願いいたします。